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支持多晶圆厂、多种工艺节点的基础IP

芯原的基础IP为复杂的SoC设计提供全面的产品组合和先进的解决方案。它包括晶圆厂单元库(V.Libs)以及基于许可证的基础IP,覆盖各种晶圆厂的工艺和广泛的技术节点。

芯原的晶圆厂单元库(V.Libs)

芯原提供包含标准单元库,存储器编译器,输入输出库的整套晶圆厂单元库,针对性的基于各个工艺技术节点及晶圆厂进行优化,提供有竞争力的性能功耗和面积并完成硅验证。全球下载已经超过2000多次并拥有众多量产记录。


现有的晶圆厂单元库主要有以下工艺节点:

  • 中芯国际: 90nm, 0.11um, 0.13um, 0.15um, 0.16um, 0.18um, 0.25um

  • 华虹宏力: 0.11um, 0.13um, 0.15um, 0.18um, 0.25um

  • 格芯: 0.13um

  • 上华: 0.13um, 0.18um

  • Silterra: 0.11um, 0.13um, 0.18um

  • 先进半导体: 0.35um

  • 和舰半导体: 0.18um, 0.25um


标准单元库

  • 综合逻辑单元

  • 多种驱动能力

  • 不同高度单元

  • 多种VT单元

  • 低功耗电源管理设计包

存储器编译器

  • 单口静态随机存取存储器编译器

  • 双口静态随机存取存储器编译器

  • 单口寄存器编译器

  • 双口寄存器编译器

  • 只读存储器编译器

输入输出库

  • 数字输入输出单元

  • 模拟输入输出单元

  • 线性和交叠焊盘



点击申请V.libs

基于许可证的基础IP

芯原提供基于许可证的基础IP,包括特殊定制的标准单元库,存储器编译器和输入输出库。这些专为特定市场应用设计定制的IP, 基于各种特点如低功耗、低漏电、高性能及高密度进行优化,以满足各种复杂的SoC设计需求。目前芯原为各种工艺技术节点提供IP定制设计,涵盖从0.18 微米到10纳米的工艺节点,包括先进工艺FD-SOI和FinFET。


  • 高压、电平转换器 基本单元库

  • 高密度单口静态随机存取存储器编译器

  • 高压单口静态随机存取存储器编译器

  • 高速内容寻址随机存取存储器

  • 多电源电压应用输入和输出

  • 低电压差分信号输入和输出

  • 多位数寄存器

  • 超低功耗单口静态随机存取存储器编译器

  • 超低功耗只读存储器编译器

  • 低压单口静态随机存取存储器编译器

  • 晶体振荡器

  • 安全数字输入和输出

  • 高速单口静态随机存取存储器编译器

  • 超低漏电单口静态随机存取存储器编译器

  • 超低漏电只读存储器编译器

  • 双倍速率输入和输出

  • 焊盘下电路输入和输出

  • 开放式NAND闪存接口输入和输出


了解更多

芯原在全球开展业务,我们非常乐于随时与您见面,讨论您对基础IP的需求。

联系我们在线提交你的需求,或联系离您最近的芯原销售办事处,安排会议或在下一次行业活动中与我们会面!

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